臺(tái)積電國(guó)產(chǎn)3nm！聯(lián)發(fā)科首款旗艦芯片成功流片

近日，聯(lián)發(fā)科與臺(tái)積公司聯(lián)合宣布，聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積公司3納米制程生產(chǎn)的天璣旗艦芯片開發(fā)進(jìn)展順利，已成功流片，并計(jì)劃明年量產(chǎn)。

聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理陳冠州表示：“聯(lián)發(fā)科在拓展全球旗艦市場(chǎng)的策略上，致力于采用全球最先進(jìn)的技術(shù)為用戶打造尖端科技產(chǎn)品，提升及豐富大眾生活。臺(tái)積電穩(wěn)定且高品質(zhì)的制造能力，讓聯(lián)發(fā)科在旗艦芯片上的優(yōu)異設(shè)計(jì)得以充分展現(xiàn)，以高性能、高能效且品質(zhì)穩(wěn)定的最佳芯片方案提供給全球客戶，為旗艦市場(chǎng)帶來前所未有的用戶體驗(yàn)。”

臺(tái)積公司的3納米制程技術(shù)不僅為高性能計(jì)算和移動(dòng)應(yīng)用提供完整的平臺(tái)支持，還擁有更強(qiáng)化的性能、功耗以及良率。

相較于5納米制程，臺(tái)積公司3納米制程技術(shù)的邏輯密度增加約60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。