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持續(xù)了接近一年的存儲芯片漲價已經(jīng)讓NAND閃存、DRAM內(nèi)存相關產(chǎn)品居高不下,不論是PC還是服務器、智能手機市場的產(chǎn)品都是一路水漲船高。
本來三星、美光、SK Hynix今年要大規(guī)模量產(chǎn)20nm工藝以內(nèi)的18nm、17nm內(nèi)存芯片,結(jié)果進展并不順利,產(chǎn)能還會繼續(xù)吃緊,4GB的DDR4 PC內(nèi)存Q2季度合約價預計會從24美元漲至27美元,提升12.5%。
DRAMeXchange分析師Avril Wu在最新報告中指出PC OEM廠商原本以為三星、美光升級18nm、17nm工藝的內(nèi)存芯片之后,內(nèi)存產(chǎn)品供應量會加大,有助于緩解內(nèi)存缺貨漲價的問題,不料天不遂人愿,內(nèi)存廠商在新制程轉(zhuǎn)換上遇到了良率、樣品認證等問題,以致于Q2季度的供應還會繼續(xù)吃緊,價格繼續(xù)上漲也是定局。
Q1季度4GB DDR4內(nèi)存模組的合約價為24美元,但是Q2季度將達到27美元,上漲12.5%,創(chuàng)下三個月來的新高。
三星去年3月底就率先宣布量產(chǎn)18nm工藝內(nèi)存,當初寫這個新聞時業(yè)界給出的預期是下半年內(nèi)存價格會大降40%,結(jié)果......但是從當時的情況來看,業(yè)界預期降價也是有理由的,因為18nm工藝的內(nèi)存容量更大,性能更好,產(chǎn)能也會更多,一旦三星大規(guī)模量產(chǎn),內(nèi)存產(chǎn)品按理說確實會降價,只是沒想到市場情況發(fā)生了變化。
就18nm工藝來說,三星在20nm之后的節(jié)點也遇到了很多技術困難,這不僅與芯片設計、制造有關,甚至在某些平臺上還出現(xiàn)了兼容性問題,因此18nm內(nèi)存的出貨遭遇延期,市場供應依然緊缺。
美光公司Q1季度宣布出樣17nm工藝的新一代內(nèi)存,但是進展也比預計的晚一些,美光很可能推遲到今年Q2季度之后再來量產(chǎn)17nm內(nèi)存。相比美光、三星,SK Hynix是唯一一家沒有宣布制程工藝轉(zhuǎn)換的內(nèi)存公司了,其DRAM內(nèi)存產(chǎn)品維持正常出貨。
這三家內(nèi)存廠商在新技術轉(zhuǎn)換過程遇到的問題說明了20nm工藝之后制程升級的門檻提高了,過程要比想象中困難,耗費的時間也比預期更久。
除了PC內(nèi)存在Q2季度漲價12.5%之外,其他市場的內(nèi)存也會漲價,服務器內(nèi)存預計漲價10-15%,不過Q2季度移動內(nèi)存漲價幅度可能只有5%,之前最熱門的市場現(xiàn)在反而漲幅最低,這主要是因為中國市場上的智能手機需求下滑,出貨量放緩所致。
責任編輯:海凡
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