終于弄清楚了！存儲(chǔ)產(chǎn)品瘋狂漲價(jià)的原因

大約是從去年年中開始，以固態(tài)硬盤為代表的，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品，開始緩慢漲價(jià)。一開始的漲價(jià)幅度并不是特別大，許多人并沒(méi)有在意，也沒(méi)有太多人去解讀。

但是隨著時(shí)間的推移，到了2016年第三第四季度，漲價(jià)的幅度逐漸增大，大幅超過(guò)許多人的心理預(yù)期價(jià)位時(shí)，有人開始質(zhì)疑了：閃存產(chǎn)品為什么漲價(jià)如此厲害？然而，存儲(chǔ)產(chǎn)品的漲價(jià)風(fēng)波并沒(méi)有就此停下腳步，進(jìn)入2017年。無(wú)論是閃存大戶固態(tài)硬盤，還是內(nèi)存條閃存卡等產(chǎn)品線，依舊在漲價(jià)的路上越走越遠(yuǎn)。

那么，此輪存儲(chǔ)產(chǎn)品線的漲價(jià)風(fēng)波到底緣何而起？此輪漲價(jià)風(fēng)波到底何時(shí)方能風(fēng)平浪靜？

漲價(jià)風(fēng)波緣起之一：技術(shù)冒進(jìn)，量產(chǎn)不足

近年來(lái)，隨著固態(tài)硬盤的普及，主流的存儲(chǔ)產(chǎn)品，幾乎都開始以閃存作為主要的存儲(chǔ)介質(zhì)，可能唯一的區(qū)別在于是易失性還是非易失性。

在過(guò)去的一年，隨著固態(tài)硬盤加入主流存儲(chǔ)產(chǎn)品序列，各大閃存原廠開始擴(kuò)大園區(qū)，加速產(chǎn)能，以期推出更多的原廠閃存以供給下游新生的固態(tài)硬盤存儲(chǔ)廠商對(duì)于閃存原料的需求。然而，無(wú)論是擴(kuò)大園區(qū)還是加速產(chǎn)能，幾乎都無(wú)法滿足，在去年開始爆發(fā)性增長(zhǎng)的對(duì)于閃存原料的需求，以及隨著固態(tài)硬盤走向平民化帶來(lái)的利潤(rùn)率下降問(wèn)題。

各大閃存原廠開始從閃存技術(shù)方面進(jìn)行革新，先是大量采用TLC替代MLC閃存顆粒，提高量產(chǎn)的同時(shí)還能提高利潤(rùn)率，然而這一招并不能從根基上解決產(chǎn)能不足問(wèn)題。于是，全行業(yè)開始從2D NAND制程轉(zhuǎn)向3D NAND制程，力圖從提高單位閃存顆粒的最高容量上著手，間接提高整體閃存的出貨量，以滿足整個(gè)市場(chǎng)對(duì)于閃存原料的需求。

SLC/MLC/TLC三種層疊示意圖

在這里簡(jiǎn)單介紹2D NAND和3D NAND之間的區(qū)別和聯(lián)系。2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數(shù)間平房，這些平房整齊排列。但是隨著需求量的不斷增加，平房的數(shù)量不斷井噴，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數(shù)量的平房而無(wú)法繼續(xù)增加

3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于平房。因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲(chǔ)空間，而32層、48層以及64層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。

從結(jié)果而言，采用這一技術(shù)的確是能夠快速有效的解決閃存量產(chǎn)不足的問(wèn)題。然而，眾多原廠卻忽視了技術(shù)瓶頸，對(duì)于3D NAND技術(shù)下閃存切割的良品率過(guò)于樂(lè)觀，致使在2D NAND轉(zhuǎn)至3D NAND的過(guò)程中，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到預(yù)期產(chǎn)量，進(jìn)一步加劇了閃存供應(yīng)不足的現(xiàn)實(shí)局面，更何況在2D轉(zhuǎn)3D技術(shù)的過(guò)程中，所有的機(jī)械、人工、廠房的投入，不可能因?yàn)榧夹g(shù)瓶頸而放棄研發(fā)，重新轉(zhuǎn)回2D,更加劇了2D NAND的減產(chǎn)，引發(fā)全行業(yè)的閃存缺貨。

供不應(yīng)求，則必然導(dǎo)致的結(jié)果是存儲(chǔ)廠商采購(gòu)成本的提高，從而引發(fā)終端產(chǎn)品的價(jià)格一路飛漲。

漲價(jià)緣起之二：大容量存儲(chǔ)成為數(shù)碼標(biāo)配

如果說(shuō)，技術(shù)冒進(jìn)引發(fā)量產(chǎn)不足是以固態(tài)硬盤為代表的存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)的內(nèi)因的話，那么在2016年開始流行的數(shù)碼產(chǎn)品配備大容量存儲(chǔ)器則可以說(shuō)是，引發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)的最大外因了。

眾所周知，在全世界范圍內(nèi)，能夠獨(dú)立生產(chǎn)和封裝閃存原料的所謂原廠僅有屈指可數(shù)的幾家，然而這幾家的閃存原料，卻要供應(yīng)包括傳統(tǒng)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，例如固態(tài)硬盤、閃存卡、優(yōu)盤甚至部分內(nèi)存，還要供應(yīng)給量級(jí)不斷攀升的手機(jī)、平板電腦、超極本以及一體機(jī)等新興數(shù)碼產(chǎn)品。

鑒于此類新興數(shù)碼產(chǎn)品，大都是一體化設(shè)計(jì)無(wú)法實(shí)現(xiàn)外置存儲(chǔ)功能，大約從去年開始，對(duì)于大容量的內(nèi)部存儲(chǔ)器的需求，不斷加碼。高達(dá)128GB甚至256GB內(nèi)置存儲(chǔ)容量，成為了這些新興數(shù)碼產(chǎn)品的標(biāo)配，更成為了某些科技公司利潤(rùn)率的重大保障。

同時(shí)，此類新興數(shù)碼產(chǎn)品的銷量和熱度的攀升，利潤(rùn)率的上升，給予原廠更多的價(jià)格回饋，因而更多的原廠愿意將閃存原料優(yōu)先供給給手機(jī)平板以及超極本等客戶，這就進(jìn)一步加劇了固態(tài)硬盤等傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品閃存原料的缺失。

閃存原料的傾斜，引發(fā)的連鎖效應(yīng)，倒逼存儲(chǔ)廠商不得不上調(diào)價(jià)格維系利潤(rùn)。

漲價(jià)緣起之三：閃存技術(shù)引發(fā)服務(wù)器市場(chǎng)的青睞

在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)行業(yè)，一直存在著消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)和服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)。一般來(lái)說(shuō)，新興的存儲(chǔ)技術(shù)在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)得到了充分驗(yàn)證，保證技術(shù)上的穩(wěn)定后，服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)便會(huì)開始大規(guī)模應(yīng)用。

在固態(tài)硬盤技術(shù)處于2D NAND時(shí)代，服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)幾乎很少使用固態(tài)硬盤作為存儲(chǔ)介質(zhì)，畢竟服務(wù)器市場(chǎng)的負(fù)載壓力和容量要求，非一般的固態(tài)硬盤能夠滿足。

但是，隨著近年來(lái)，Intel的3D X-POINT的正式問(wèn)世，也就是Optane敖騰等服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的登場(chǎng)，越來(lái)越多的尚未應(yīng)用以閃存為存儲(chǔ)介質(zhì)的服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)，開始從去年開始慢慢進(jìn)行產(chǎn)品的更新?lián)Q代，將老舊的服務(wù)器級(jí)機(jī)械硬盤替下，換上技術(shù)更為先進(jìn)，速度更快，性能更穩(wěn)定的固態(tài)硬盤。

就在不久前，Intel官方還在公開場(chǎng)合宣布，隨著3D Xpoint的成熟，Intel將在2017年優(yōu)先生產(chǎn)高速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用（也就是服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)）的固態(tài)硬盤，而不是低成本的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤。

服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)的對(duì)于閃存顆粒需求的釋放，無(wú)疑給身處缺貨困惱的消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重?fù)?。眾所周知，服?wù)器級(jí)市場(chǎng)鑒于其服務(wù)定位及產(chǎn)品功能，在采購(gòu)方面的議價(jià)能力遠(yuǎn)高于消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)，對(duì)于閃存原料的控制力，更是一眾消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)廠商不可同日而語(yǔ)的。在高價(jià)采購(gòu)閃存原料的情況下，固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)也就不難理解了。

漲價(jià)風(fēng)波何時(shí)能止：2018年年初有望回落

既然存儲(chǔ)產(chǎn)品瘋狂漲價(jià)的根源在于閃存顆粒的量產(chǎn)不足，那么唯有等到所有的閃存原廠在3D制程上實(shí)現(xiàn)了完全突破，幾大原廠能夠在同一體系下進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)的風(fēng)波才有可能停歇，正如同當(dāng)下神州大地瘋狂上漲的房?jī)r(jià)，唯有政府敢于丟卒保車，方破解全局。

那么，各大閃存原廠的3D制程都發(fā)展到哪一階段了呢？根據(jù)公開消息，首先是Intel，不久前發(fā)布了全新針對(duì)服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)的，基于3D Xpoint產(chǎn)品，并在2017年全年加緊供貨服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)；接著是三星，三星最新的Fab18閃存工廠，不久將要投入量產(chǎn)，2017年將是量產(chǎn)的關(guān)鍵之年；同樣的東芝Fab2、美光Fab10x以及SK海力士M14等閃存工廠都將在2017年進(jìn)行量產(chǎn)。

幾乎所有的閃存原廠都將在2017年開始量產(chǎn)基于最新堆疊層數(shù)的3D NAND技術(shù)產(chǎn)品，量產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)過(guò)最終封裝和分發(fā)到存儲(chǔ)廠商手中，然后經(jīng)由存儲(chǔ)廠商進(jìn)行產(chǎn)品方案的選擇和最終推出到市場(chǎng)，可能還會(huì)經(jīng)歷一段時(shí)間。根據(jù)供應(yīng)鏈一般的流程以及筆者個(gè)人觀點(diǎn)預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格回落最快得到2017年年底到2018年年初，甚至可能延期到2018年第一季度。

任何電子產(chǎn)品，受制于上下游制程或是工藝，都會(huì)在一段時(shí)間內(nèi)呈現(xiàn)反常的大規(guī)模漲價(jià)或是降價(jià)，這是正常的市場(chǎng)行為表現(xiàn)。作為消費(fèi)者的我們，不用太過(guò)在意所謂漲價(jià)和降價(jià)，所有的購(gòu)買行為應(yīng)當(dāng)根據(jù)真實(shí)需求。正所謂，塞翁失馬，焉知非福。