6月5日,在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行,SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。
中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說:“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了。”
SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料,具有重要的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說:“高純SiC粉料是SiC單晶生長(zhǎng)的關(guān)鍵原材料,單晶生長(zhǎng)爐是SiC單晶生長(zhǎng)的核心設(shè)備,要想生長(zhǎng)出高質(zhì)量的SiC單晶,在具備高純SiC粉料和單晶生長(zhǎng)爐條件下,還需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化。”
據(jù)介紹,單晶生長(zhǎng)爐需要達(dá)到高溫、高真空、高潔凈度的要求,目前國內(nèi)只有兩家能生產(chǎn)單晶生長(zhǎng)爐,中國電科二所是其中之一。他們突破了大直徑SiC生長(zhǎng)的溫場(chǎng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長(zhǎng)爐高極限真空、低背景漏率生長(zhǎng)爐設(shè)計(jì)制造及小批量生產(chǎn);他們還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù)、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。
責(zé)任編輯:莊婷婷
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